Нитриди кремний бо карбиди кремний
Si3N4 бо пайванди маводи сӯзишвории сафолии SiC, бо хокаи хуби SIC ва хокаи кремний омехта карда мешавад, пас аз рехтани слайд, реаксия дар зери 1400 ~ 1500 ° C омехта карда мешавад.Дар рафти агломератсия, пур кардани нитрогени баланди тоза ба танӯр, пас кремний бо нитроген реаксия карда, Si3N4 тавлид мекунад, аз ин рӯ Si3N4-и пайвастшудаи SiC аз нитриди кремний (23%) ва карбиди кремний (75%) ҳамчун ашёи хоми асосӣ иборат аст. , омехта бо маводи органикӣ, ва шакли омехта, экструзия ё рехта, пас аз хушконидан ва нитрогенизатсия.
Хусусиятҳо ва афзалиятҳо:
1.Hтаҳаммулпазирии ҳарорати баланд
2.High гармигузаронӣ ва муқовимат зарбаи
3.Қувваи баланди механикӣ ва муқовимати abrasion
4.Excellent самаранокии энергетикӣ ва муқовимат ба зангзании
Мо ҷузъҳои сафолии NSiC-ро бо сифати баланд ва дақиқ коркард мекунем, ки коркард мекунанд
1. рехтагарӣ
2. Экструзинг
3.Фахши ягонаи меҳвар
4. Пресскунии изостатикӣ
Варақаи маълумоти моддӣ
| > Таркиби кимиёвӣ | Сик | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Озод Си | 0% | |
| Зичии масса (г/см3) | 2,70～2.80 | |
| Порозияи намоён (%) | 12～15 | |
| Қувваи хамшавӣ дар 20 ℃ (МПа) | 180～190 | |
| Қувваи хамшавӣ дар 1200 ℃ (МПа) | 207 | |
| Қувваи хамшавӣ дар 1350 ℃ (МПа) | 210 | |
| Қувваи фишор дар 20 ℃ (МПа) | 580 | |
| Қобилияти гармидиҳӣ дар 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Коэффисиенти васеъшавии гармӣ дар 1200 ℃ (x 10-6 /C) | 4,70 | |
| Муқовимат ба зарбаи гармидиҳӣ | Аъло | |
| Макс.ҳарорат (℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd як таъминкунандаи пешбари сафоли нимноқилҳои пешрафта ва ягона истеҳсолкунанда дар Чин мебошад, ки метавонад ҳамзамон сафолини карбиди кремнийи тозагии баланд (махсусан аз нав кристаллшудаи SiC) ва рӯйпӯши CVD SiC-ро таъмин кунад.Илова бар ин, ширкати мо инчунин ба соҳаҳои сафолӣ, аз қабили гилхок, нитриди алюминий, циркония ва нитриди кремний ва ғайра ӯҳдадор аст.
Маҳсулоти асосии мо, аз ҷумла: диски карбиди кремний, қаиқҳои кремнийи карбиди, қаиқ вафли кремнийи карбиди (фотоэлектрикӣ ва нимноқил), найчаи кӯраи кремний, бели кремнийи карбиди кремний, чакҳои карбиди кремний, чӯби карбиди кремний, инчунин SiD ва CV пӯшиш.Маҳсулоте, ки асосан дар саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикӣ истифода мешаванд, ба монанди таҷҳизот барои афзоиши кристалл, эпитаксия, ҷӯйборкунӣ, бастабандӣ, печҳои пӯшиш ва диффузия ва ғайра.
Ширкати мо дорои таҷҳизоти мукаммали истеҳсолӣ, аз қабили қолаби, агломератсия, коркард, таҷҳизоти рӯйпӯш ва ғайра мебошад, ки метавонад ҳамаи пайвандҳои зарурии истеҳсоли маҳсулотро анҷом диҳад ва қобилияти баландтари сифати маҳсулотро дошта бошад;Плани оптималии истехсолотро мувофики эхтиёчоти махсулот интихоб кардан мумкин аст, ки дар натича арзиши аслии он арзон ва ба харидорон махсулоти ракобатпазиртар таъмин карда мешавад;Мо метавонем истеҳсолотро дар асоси талаботи интиқоли фармоиш ва дар якҷоягӣ бо системаҳои идоракунии фармоиши онлайн ба таври фасеҳ ва самаранок ба нақша гирифта, ба мизоҷон вақти зудтар ва кафолатноки интиқолро таъмин кунем.
