Сусептори амиқи ултрабунафш LED SiC - Компоненти пешрафтаи MOCVD барои эпитаксияи баландсифат
Барраси:Susceptor LED амиқи ултрабунафш SiC як ҷузъи муҳими равандҳои MOCVD (таҳиши буғи химиявии металлӣ-органикӣ) мебошад, ки махсус барои дастгирии афзоиши самаранок ва устувори қабати эпитаксиалии амиқи ултрабунафш LED тарҳрезӣ шудааст. Дар Semicera, мо як истеҳсолкунанда ва таъминкунандаи пешбари ҳассосиятҳои SiC-и пӯшида ҳастем ва маҳсулотеро пешниҳод менамоем, ки ба стандартҳои баландтарини саноат мувофиқат мекунанд. Бо таҷрибаҳои чандинсола ва шарикии дарозмуддат бо истеҳсолкунандагони беҳтарини LED эпитаксиалӣ, қарорҳои ҳассосияти мо дар саросари ҷаҳон эътимод доранд.
Хусусиятҳо ва манфиатҳои асосӣ:
▪Барои Epitaxy Deep UV LED оптимизатсияшуда:Махсусан барои афзоиши сермаънои эпитаксиалии LED-ҳои амиқи ултрабунафш, аз ҷумла онҳое, ки дар диапазони дарозии мавҷи <260 нм (дар безараргардонии UV-C, стерилизатсия ва барномаҳои дигар истифода мешаванд) тарҳрезӣ шудаанд.
▪Мавод ва рӯйпӯш:Аз графити баландсифати SGL истеҳсол карда шудааст, ки бо пӯшонида шудаастCVD SiC, таъмини муқовимати аъло ба NH3, HCl ва муҳитҳои ҳарорати баланд. Ин рӯйпӯши пойдору коршоямӣ ва умри дарозро беҳтар мекунад.
▪Идоракунии дақиқи гармӣ:Усулҳои пешрафтаи коркард тақсимоти якхелаи гармиро таъмин намуда, градиентҳои ҳароратро пешгирӣ мекунанд, ки метавонанд ба афзоиши қабати эпитаксиалӣ таъсир расонанд, якрангӣ ва сифати маводро беҳтар кунанд.
▪ Мутобиқати васеъшавии гармӣ:Ба коэффисиенти васеъшавии гармии вафли эпитаксиалии AlN/GaN мувофиқат мекунад, ки хатари пажӯҳиш ё кафидани вафлиро дар давомиMOCVDраванд.
Мутобиқ ба Таҷҳизоти пешбари MOCVD: Бо системаҳои асосии MOCVD, аз қабили Veeco K465i, EPIK 700 ва Aixtron Crius мувофиқ аст, андозаи вафлиро аз 2 то 8 дюйм дастгирӣ мекунад ва барои тарҳрезии слот, ҳарорати раванд ва дигар параметрҳо ҳалли фармоишӣ пешниҳод мекунад.
Барномаҳо:
▪ Истеҳсоли амиқи LED UV:Идеалӣ барои эпитаксияҳои LED-ҳои амиқ UV, ки дар барномаҳо ба монанди безараргардонии UV-C ва стерилизатсия истифода мешаванд.
▪ Эпитаксияи нимноқилҳои нитридӣ:Барои равандҳои эпитаксиалии GaN ва AlN дар истеҳсоли дастгоҳҳои нимноқил мувофиқ аст.
▪ Тадқиқот ва рушд:Дастгирии таҷрибаҳои пешрафтаи эпитаксия барои донишгоҳҳо ва муассисаҳои тадқиқотӣ, ки ба маводи амиқи ултрабунафш ва технологияҳои нав нигаронида шудаанд.
Чаро Semicera-ро интихоб кунед?
▪ Сифати исботшуда:моSiC пӯшонида шудаастҳассосиятҳои амиқи ултрабунафш LED аз санҷиши ҷиддӣ мегузаранд, то боварӣ ҳосил кунанд, ки онҳо ба кори истеҳсолкунандагони беҳтарини байналмилалӣ мувофиқат мекунанд.
▪ Қарорҳои фармоишӣ:Мо маҳсулоти фармоиширо барои қонеъ кардани ниёзҳои беназири мизоҷони худ пешниҳод менамоем, ки иҷрои беҳтарин ва эътимоднокии дарозмуддатро таъмин мекунанд.
▪ Экспертизаи ҷаҳонӣ:Ҳамчун шарики боэътимоди бисёриҳоLED эпитаксиалӣистеҳсолкунандагон дар саросари ҷаҳон, Semicera технологияи пешрафта ва таҷрибаи бойро ба ҳар як лоиҳа меорад.
Имрӯз бо мо тамос гиред! Бифаҳмед, ки чӣ гуна Semicera метавонад равандҳои MOCVD-и шуморо бо ҳассосиятҳои баландсифат ва боэътимоди SiC бо ҳассосияти амиқ UV LED дастгирӣ кунад. Барои маълумоти бештар ё дархости нархнома бо мо тамос гиред.
