Тавсифи
Ширкати мо хидматҳои раванди пӯшиши SiC-ро бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо пешкаш мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC.
Хусусиятҳои асосӣ
1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд: муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз ҳам хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 C баланд аст.
2. Тозагии баланд: аз ҷониби таҳшиншавии буғи кимиёвӣ дар ҳолати хлоризатсияи ҳарорати баланд.
3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.
4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.
Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating
| Хусусиятҳои SiC-CVD | ||
| Сохтори кристаллӣ | Марҳилаи β FCC | |
| Зичӣ | г/см ³ | 3.21 |
| Сахтӣ | Сахтии Викерс | 2500 |
| Андозаи ғалла | мкм | 2~10 |
| Тозагии химиявӣ | % | 99.99995 |
| Иқтидори гармӣ | J·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Ҳарорати сублиматсия | ℃ | 2700 |
| Қувваи Felexural | МПа (RT 4-нуқта) | 415 |
| Модули ҷавон | Gpa (4pt хам, 1300 ℃) | 430 |
| Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Қобилияти гармидиҳӣ | (Вт/мК) | 300 |
-
Минтақаи гарми гармкунаки графитӣ / майдони гарми графит, ...
-
Ҷӯйборҳои PIN SiC барои равандҳои etching ICP дар ...
-
Қисмҳои ним барои таҷҳизоти SiC Epitaxial
-
Реактори баррел реактори карбид Капшуда
-
Баррели графити SiC барои афзоиши эпитаксиалӣ
-
Реактори нимноқилҳои бо SiC-пӯшонидашудаи эпитаксиалӣ барои ...