GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Субстратҳои арсениди галлий

GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Субстратҳои галлий арсениди тасвири пешниҳодшуда

Тавсифи кӯтоҳ:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd як таъминкунандаи пешқадам аст, ки ба вафли ва масолеҳи пешрафтаи нимноқил тахассус дорад.Мо барои пешниҳоди маҳсулоти баландсифат, боэътимод ва инноватсионӣ ба истеҳсоли нимноқилҳо, саноати фотоэлектрикӣ ва дигар соҳаҳои марбута бахшидаем.

Хатти маҳсулоти мо маҳсулоти графитӣ бо SiC/TaC ва маҳсулоти сафолиро дар бар мегирад, ки маводи гуногунро дар бар мегирад, аз қабили карбиди кремний, нитриди кремний, оксиди алюминий ва ғайра.

Дар айни замон, мо ягона истеҳсолкунанда ҳастем, ки 99,9999% қабати SiC ва 99,9% аз нав кристаллшудаи карбиди кремнийро таъмин мекунад.Дарозии ҳадди аксар SiC мо метавонем 2640 мм кор кунем.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Субстратҳои GaAs ба ноқилҳо ва нимизолятсияҳо тақсим мешаванд, ки дар лазер (LD), диодҳои нимноқилӣ (LED), лазери наздики инфрасурх, лазери пуриқтидори чоҳи квантӣ ва панелҳои офтобии баланд самаранок истифода мешаванд.Микросхемаҳои HEMT ва HBT барои радарҳо, печҳои печи, мавҷи миллиметрӣ ё компютерҳои ултра-баландсуръат ва алоқаи оптикӣ;Дастгоҳҳои басомади радио барои алоқаи бесим, 4G, 5G, алоқаи моҳвораӣ, WLAN.

Ба наздикӣ, субстратҳои арсениди галлий дар мини-LED, Micro-LED ва LED сурх низ пешрафти бузург ба даст овардаанд ва дар дастгоҳҳои фарсудаи AR/VR ба таври васеъ истифода мешаванд.

Диаметр 晶片直径	50мм \|75мм \|100мм \|150мм
Усули афзоиш 生长方式	LEC液封直拉法 ВГФ垂直梯度凝固法
Ғафсӣ вафли 厚度	350 ум ~ 625 ум
Ориентация 晶向	<100> / <111> / <110> ё дигарон
Навъи интиқолдиҳанда 导电类型	P - навъи / N - навъи / нимизолятсия
Навъи/Допант 掺杂剂	Zn / Si / бефоида
Консентратсияи интиқолдиҳанда 载流子浓度	1Э17 ~ 5Э19 см-3
Муқовимат дар RT 室温电阻率(ом•см)	≥1E7 барои SI
Мобилият 迁移率(см2/В•Сан)	≥4000
EPD (Зичии чоҳҳои Etch) 腐蚀坑密度	100~1Э5
TTV 总厚度变化	≤ 10 мм
Камон / Варп 翘曲度	≤ 20 мм
Андозаи рӯизаминӣ 表面	DSP/SSP
Нишони лазерӣ 激光码
Синф 等级	Epi polished синфи / синфи механикӣ