Ҳалқаҳои сахти CVD SiCДар соҳаҳои саноатӣ ва илмӣ дар ҳарорати баланд, муҳитҳои зангзананда ва абразивӣ васеъ истифода мешаванд. Он дар бисёр соҳаҳои татбиқ нақши муҳим мебозад, аз ҷумла:
1. Истеҳсоли нимноқилҳо:Ҳалқаҳои сахти CVD SiCбарои гарм кардан ва хунук кардани таҷҳизоти нимноқилӣ истифода бурдан мумкин аст, ки назорати устувори ҳароратро таъмин намуда, дурустӣ ва муттасилии равандро таъмин мекунад.
2. Оптоэлектроника: Аз сабаби гузаронандагии аълои гармидиҳӣ ва муқовимат ба ҳарорати баланд,Ҳалқаҳои сахти CVD SiCметавонад ҳамчун маводи дастгирӣ ва паҳншавии гармӣ барои лазерҳо, таҷҳизоти алоқаи нахи оптикӣ ва ҷузъҳои оптикӣ истифода шавад.
3. Мошинҳои дақиқ: ҳалқаҳои сахти CVD SiC метавонанд барои асбобҳо ва таҷҳизоти дақиқ дар муҳити ҳарорати баланд ва зангзананда, ба монанди печҳои ҳарорати баланд, дастгоҳҳои вакуумӣ ва реакторҳои кимиёвӣ истифода шаванд.
4. Саноати кимиё: ҳалқаҳои сахти CVD SiC метавонанд дар контейнерҳо, қубурҳо ва реакторҳо дар реаксияҳои кимиёвӣ ва равандҳои каталитикӣ аз сабаби муқовимат ба зангзанӣ ва устувории кимиёвӣ истифода шаванд.
✓Сифати баланд дар бозори Чин
✓Хизмати хуб ҳамеша барои шумо, 7*24 соат
✓ Санаи кӯтоҳи таҳвил
✓ MOQ хурд хуш омадед ва қабул карда мешавад
✓ Хизматрасонии фармоишӣ
Ҳассосияти афзоиши эпитаксия
Вафли кремний/карбиди кремний бояд аз якчанд равандҳо гузарад, то дар дастгоҳҳои электронӣ истифода шаванд. Раванди муҳим ин эпитаксияи кремний/сик мебошад, ки дар он вафли кремний/сикӣ дар асоси графит интиқол дода мешавад. Бартариҳои махсуси пойгоҳи графити бо карбиди кремнийи Semicera аз тозагии бениҳоят баланд, рӯйпӯши якхела ва мӯҳлати хидматрасонии ниҳоят дароз иборат аст. Онҳо инчунин муқовимати баланди химиявӣ ва устувории гармӣ доранд.
Истеҳсоли чипҳои LED
Ҳангоми пӯшонидани васеи реактори MOCVD, пойгоҳи сайёра ё интиқолдиҳанда вафли субстратро ҳаракат мекунад. Фаъолияти маводи асосӣ ба сифати рӯйпӯш таъсири калон мерасонад, ки дар навбати худ ба суръати шикастани чип таъсир мерасонад. Пойгоҳи кремнийи карбиди Semicera самаранокии истеҳсоли вафли баландсифати LED-ро афзоиш медиҳад ва инҳирофоти дарозии мавҷро кам мекунад. Мо инчунин ҷузъҳои иловагии графитро барои ҳама реакторҳои MOCVD, ки ҳоло истифода мешаванд, таъмин мекунем. Мо метавонем қариб ҳама ҷузъҳоро бо қабати карбиди кремний пӯшем, ҳатто агар диаметри компонент то 1,5 М бошад, мо метавонем бо карбиди кремний пӯшем.
Майдони нимноқил, Раванди диффузияи оксидшавӣ, Ва гайра.
Дар раванди нимноқил, раванди тавсеаи оксидшавӣ тозагии баланди маҳсулотро талаб мекунад ва дар Semicera мо барои аксари қисмҳои карбиди кремний хидматҳои фармоишӣ ва CVD-ро пешниҳод мекунем.
Дар расми зерин лӯлаи карбиди кремнийи Semicea ва найчаи кӯраи карбиди кремний, ки дар 100 тоза карда шудааст, нишон дода шудааст.0-сатҳичанг тозаҳуҷра. Коргарони мо пеш аз руйкашй кор мекунанд. Тозагии карбиди кремнийи мо метавонад ба 99,99% расад ва тозагии қабати sic аз 99,99995% зиёдтар аст.
Падли хоми кремнийи карбиди ва Tube Process SiC дар тозакунӣ
Кремний карбиди вафери қаиқ CVD SiC Камушки
