Силикон Карбиди Epitaxial Disc Wafer барои таҷҳизоти VEECO

Эпитаксиалии карбиди кремнийДискҳои вафли барои Таҷҳизоти VEECO аз semicera барои равандҳои пешрафтаи эпитаксиалӣ дақиқ тарҳрезӣ шудаанд ва дар ҳарду натиҷаҳои баландсифатро таъмин мекунандЭпитаксияваSiC Epitaxyбарномаҳо. Ин дискҳои вафли махсус барои таҷҳизоти VEECO тарҳрезӣ шудаанд, ки фаъолият ва самаранокии равандҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳоро баланд мебардоранд. Таҷрибаи Semicera устувории истисноӣ ва дақиқро барои барномаҳои муҳим кафолат медиҳад.

Ин дискҳои вафли эпитаксиалӣ барои истифода мувофиқандҲабси MOCVDсистемаҳо, таъмини дастгирии устувор барои ҷузъҳои муҳим ба монандиИнтиқолдиҳандаи PSS Etching, Интиқолдиҳандаи ICP Etching, ваИнтиқолдиҳандаи RTP. Илова бар ин, онҳо мутобиқати мукаммалро боҲабси эпитаксиалии LED, Баррел Susceptor ва равандҳои кремнийи монокристаллӣ, кафолат медиҳад, ки хатҳои истеҳсолии шумо стандартҳои баландтарини самаранокӣ ва дақиқиро нигоҳ доранд.

Ин дискҳои вафли барои технологияи пешрафта тарҳрезӣ шудаанд, дар истеҳсоли Қисмҳои фотоэлектрикӣ саҳми назаррас доранд ва равандҳои мураккабро ба монанди GaN дар SiC Epitaxy осон мекунанд. Новобаста аз он ки барои конфигуратсияҳои Pancake Susceptor ё дигар замимаҳои серталаб истифода мешавад, дискҳои кремнийи карбиди эпитаксиалии нимноқил заминаи боэътимодро барои истеҳсоли пешрафтаи нимноқил таъмин намуда, иҷрои беҳтарин ва устувории дарозмуддатро таъмин мекунанд.