Раванди пӯшонидашудаи SiC барои пойгоҳи графити интиқолдиҳандагони графити SiC Coated

Мо ҳангоми татбиқи он таҳаммулпазирии хеле наздикро нигоҳ медоремСарпӯши SiC, бо истифода аз коркарди дақиқи баланд барои таъмини як намуди ҳассосият.Мо инчунин масолеҳи дорои хосиятҳои муқовимати барқии беҳтаринро барои истифода дар системаҳои ба таври индуктивӣ гармшаванда истеҳсол мекунем.Ҳама ҷузъҳои тайёр бо шаҳодатномаи мувофиқати покӣ ва андозагирӣ меоянд.

Ширкати мо таъмин менамоядСарпӯши SiCкоркарди хидматҳо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо, то ки газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и баланд, молекулаҳое, ки дар рӯи маводи пӯшидашуда ҷойгир шудаанд, қабати муҳофизатии SIC-ро ташкил медиҳанд.SIC-и ташкилшуда ба пойгоҳи графит сахт пайваст шуда, ба пойгоҳи графит хосиятҳои махсус медиҳад ва ба ин васила сатҳи графитро паймон, бе порозия, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ ва муқовимати оксидшавӣ месозад.

Раванди CVD тозагии бениҳоят баланд ва зичии назариявии онро таъмин мекунадСарпӯши SiCбе порозия.Ғайр аз он, азбаски карбиди кремний хеле сахт аст, онро метавон ба рӯи оина монанд кард.Пӯшидани карбиди кремнийи CVD (SiC).як қатор бартариҳо, аз ҷумла сатҳи баланди тозагии баланд ва устувории бениҳоят фарсуда.Азбаски маҳсулоти рӯйпӯшшуда дар шароити вакууми баланд ва ҳарорати баланд иҷрои аъло доранд, онҳо барои барномаҳо дар саноати нимноқилҳо ва дигар муҳити ултра тоза беҳтарин мебошанд.Мо инчунин маҳсулоти графити пиролитикиро (PG) таъмин мекунем.