Семисера худаш инкишоф ёфтҚисми мӯҳри сафолии SiCбарои қонеъ гардонидани стандартҳои баланди истеҳсоли нимноқилҳои муосир пешбинӣ шудааст. Ин қисми мӯҳр самаранокии баландро истифода мебарадкарбиди кремний (SiC)мавод бо муқовимати аълои фарсудашавӣ ва устувории кимиёвӣ барои таъмини иҷрои аълои мӯҳр дар муҳити шадид. Якҷоя бооксиди алюминий (Al2O3)ванитриди кремний (Si3N4), ин қисм дар барномаҳои ҳарорати баланд хуб кор мекунад ва метавонад ба таври муассир хуруҷи газ ва моеъро пешгирӣ кунад.
Хангоми якчоя бо тачхизот ба монандикиштихои вафлива боркашони вафли, Semicera кардҚисми мӯҳри сафолии SiCсамаранокй ва эътимоднокии системаи умумиро хеле баланд бардошта метавонад. Муқовимати олии ҳарорат ва муқовимат ба зангзании он онро як ҷузъи ҷудонашаванда дар истеҳсоли нимноқилҳои дақиқи баланд табдил дода, устуворӣ ва бехатариро дар ҷараёни истеҳсолот таъмин мекунад.
Илова бар ин, тарҳи ин қисми мӯҳр бодиққат оптимизатсия карда шудааст, то мутобиқат бо таҷҳизоти гуногун таъмин карда шавад, ки истифодаи онро дар хатҳои гуногуни истеҳсолӣ осон мекунад. Гурӯҳи R&D-и Semicera кори зиёдеро барои пешбурди навовариҳои технологӣ барои таъмини рақобатпазирии маҳсулоти он дар соҳа идома медиҳад.
Интихоби SemiceraҚисми мӯҳри сафолии SiC, шумо маҷмӯи самаранокии баланд ва эътимоднокро ба даст меоред, ки ба шумо барои ноил шудан ба равандҳои самараноки истеҳсолот ва сифати аълои маҳсулот кӯмак мекунад. Semicera ҳамеша ӯҳдадор аст, ки мизоҷонро бо беҳтарин қарорҳо ва хидматҳои нимноқилӣ таъмин кунад, то ба рушд ва пешрафти пайвастаи соҳа мусоидат кунад.
✓Сифати баланд дар бозори Чин
✓Хизмати хуб ҳамеша барои шумо, 7*24 соат
✓ Санаи кӯтоҳи таҳвил
✓ MOQ хурд хуш омадед ва қабул карда мешавад
✓ Хизматрасонии фармоишӣ
Ҳассосияти афзоиши эпитаксия
Вафли кремний/карбиди кремний бояд аз якчанд равандҳо гузарад, то дар дастгоҳҳои электронӣ истифода шаванд. Раванди муҳим ин эпитаксияи кремний/сик мебошад, ки дар он вафли кремний/сикӣ дар асоси графит интиқол дода мешавад. Бартариҳои махсуси пойгоҳи графити бо карбиди кремнийи Semicera аз тозагии бениҳоят баланд, рӯйпӯши якхела ва мӯҳлати хидматрасонии ниҳоят дароз иборат аст. Онҳо инчунин муқовимати баланди химиявӣ ва устувории гармӣ доранд.
Истеҳсоли чипҳои LED
Ҳангоми пӯшонидани васеи реактори MOCVD, пойгоҳи сайёра ё интиқолдиҳанда вафли субстратро ҳаракат мекунад. Фаъолияти маводи асосӣ ба сифати рӯйпӯш таъсири калон мерасонад, ки дар навбати худ ба суръати шикастани чип таъсир мерасонад. Пойгоҳи кремнийи карбиди Semicera самаранокии истеҳсоли вафли баландсифати LED-ро афзоиш медиҳад ва инҳирофоти дарозии мавҷро кам мекунад. Мо инчунин ҷузъҳои иловагии графитро барои ҳама реакторҳои MOCVD, ки ҳоло истифода мешаванд, таъмин мекунем. Мо метавонем қариб ҳама ҷузъҳоро бо қабати карбиди кремний пӯшем, ҳатто агар диаметри компонент то 1,5 М бошад, мо метавонем бо карбиди кремний пӯшем.
Майдони нимноқил, Раванди диффузияи оксидшавӣ, Ва гайра.
Дар раванди нимноқил, раванди тавсеаи оксидшавӣ тозагии баланди маҳсулотро талаб мекунад ва дар Semicera мо барои аксари қисмҳои карбиди кремний хидматҳои фармоишӣ ва CVD-ро пешниҳод мекунем.
Дар расми зерин лӯлаи карбиди кремнийи Semicea ва найчаи кӯраи карбиди кремний, ки дар 100 тоза карда шудааст, нишон дода шудааст.0-сатҳичанг тозаҳуҷра. Коргарони мо пеш аз руйкашй кор мекунанд. Тозагии карбиди кремнийи мо метавонад ба 99,99% расад ва тозагии қабати sic аз 99,99995% зиёдтар аст.
Падли хоми кремнийи карбиди ва Tube Process SiC дар тозакунӣ
Кремний карбиди вафери қаиқ CVD SiC Камушки
