, graphite base is the carrier and heating body of the substrate, which directly determines the uniformity and purity of the film material, so its quality directly affects the preparation of the epitaxial sheet, and at the same time, with the increase of the number of истифодабарй ва тагйир додани шароити кор, пушидани он хеле осон аст, ба масолехи сарфшаванда тааллук дорад.
, аммо дар раванди истеҳсол, графит хокаро бо сабаби боқимондаи газҳои зангзанӣ ва оригикии металлӣ содир мекунад ва ҳаёти хизматрасонии пойгоҳи графикӣ хеле коҳиш хоҳад ёфт.Дар айни замон, хокаи графит афтода боиси ифлосшавии чип мегардад.
муҳити истифода, рӯйпӯши рӯи графит бояд ба хусусиятҳои зерин ҷавобгӯ бошад:
(1) Пойгоҳи графитро метавон пурра печонд ва зичии хуб аст, вагарна пойгоҳи графитро дар гази зангзананда зангзанӣ кардан осон аст.
(2) Қувваи омехта бо пойгоҳи графит баланд аст, то кафолат диҳад, ки рӯйпӯш пас аз якчанд давраҳои ҳарорати баланд ва ҳарорати паст афтодан осон нест.
Дар айни замон, SiC маъмулӣ асосан 3C, 4H ва 6H мебошад ва истифодаи SiC аз намудҳои гуногуни кристалл гуногун аст.Масалан, 4H-SiC метавонад дастгоҳҳои пуриқтидор истеҳсол кунад;6H-SiC устувортарин буда, дастгоҳҳои фотоэлектрикӣ истеҳсол карда метавонад;Аз сабаби сохтори шабеҳи он ба GaN, 3C-SiC метавонад барои тавлиди қабати эпитаксиалии GaN ва истеҳсоли дастгоҳҳои SiC-GaN RF истифода шавад.βββ