Табақи зидди оксидшавии баландсифати SiC бо қабати MOCVD

Антиоксидшавӣ бо тозагии баланд SiC бо қабати MOCVD Тасвири тавсифшуда

Тавсифи кӯтоҳ:

Semicera Energy Technology Co., Ltd як таъминкунандаи пешқадам аст, ки ба вафли ва масолеҳи пешрафтаи нимноқил тахассус дорад.Мо барои таъмини маҳсулоти баландсифат, боэътимод ва инноватсионӣ ба истеҳсоли нимноқилҳо бахшидаем,саноати фотоэлектрикйва дигар соҳаҳои алоқаманд.

Хатти маҳсулоти мо маҳсулоти графитӣ бо SiC/TaC ва маҳсулоти сафолиро дар бар мегирад, ки маводи гуногунро дар бар мегирад, аз қабили карбиди кремний, нитриди кремний, оксиди алюминий ва ғайра.

Ҳамчун як таъминкунандаи боэътимод, мо аҳамияти масолеҳи масрафшавандаро дар раванди истеҳсолот дарк мекунем ва мо ӯҳдадор ҳастем, ки маҳсулоте, ки ба стандартҳои баландтарини сифат мувофиқат мекунанд, барои қонеъ кардани ниёзҳои муштариёнамон пешниҳод кунем.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Тавсифи

Ширкати мо таъмин менамоядСарпӯши SiCкоркарди хидматҳо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо, то ки газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и баланд, молекулаҳоеро, ки дар рӯи маводи пӯшонидашуда ҷойгир шудаанд, ба даст оранд.Қабати муҳофизатии SiC.

Хусусиятҳои асосӣ

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:
муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 С баланд аст.
2. тозагии баланд: дод аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд.
3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.
4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating

Хусусиятҳои SiC-CVD
Сохтори кристаллӣ	Марҳилаи β FCC
Зичии	г/см ³	3.21
Сахтӣ	Сахтии Викерс	2500
Андозаи ғалла	мкм	2~10
Тозагии химиявӣ	%	99.99995
Иқтидори гармӣ	J·кг-1 ·К-1	640
Ҳарорати сублиматсия	℃	2700
Қувваи Felexural	МПа (RT 4-нуқта)	415
Модули ҷавон	Gpa (4pt хам, 1300 ℃)	430
Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE)	10-6К-1	4.5
Қобилияти гармидиҳӣ	(Вт/мК)	300