Чин истеҳсолкунандагони вафли, таъминкунандагон, завод
Вафли нимноқилӣ чист?
Вафли нимноқил як буридаи тунук ва мудаввари маводи нимноқилест, ки ҳамчун асос барои сохтани микросхемаҳои интегралӣ (IC) ва дигар дастгоҳҳои электронӣ хизмат мекунад. Вафель сатҳи ҳамвор ва якхеларо таъмин мекунад, ки дар он ҷузъҳои гуногуни электронӣ сохта шудаанд.
Раванди истеҳсоли вафли чанд марҳиларо дар бар мегирад, аз ҷумла парвариши як кристалли бузурги маводи нимноқили дилхоҳ, буридани кристалл ба вафли борик бо истифода аз арраи алмос ва сипас сайқал додан ва тоза кардани вафли барои бартараф кардани ҳама гуна нуқсонҳо ё ифлосиҳои рӯизаминӣ. Вафли натиҷавӣ дорои сатҳи хеле ҳамвор ва ҳамвор аст, ки барои равандҳои минбаъдаи истеҳсолот муҳим аст.
Пас аз омода кардани вафлиҳо, онҳо як қатор равандҳои истеҳсоли нимноқилҳоро, аз қабили фотолитография, афшорӣ, таҳшинкунӣ ва допингро мегузаранд, то намунаҳо ва қабатҳои мураккаберо, ки барои сохтани ҷузъҳои электронӣ заруранд, эҷод кунанд. Ин равандҳо якчанд маротиба дар як вафли ягона такрор карда мешаванд, то микросхемаҳои интегралӣ ё дигар дастгоҳҳоро эҷод кунанд.
Пас аз ба итмом расидани раванди истеҳсол, микросхемаҳои инфиродӣ бо буридани вафли аз рӯи хатҳои пешакӣ муайяншуда ҷудо карда мешаванд. Сипас микросхемаҳои ҷудошуда барои муҳофизати онҳо бастабандӣ карда мешаванд ва пайвастҳои барқиро барои ҳамгироӣ ба дастгоҳҳои электронӣ таъмин мекунанд.
Маводҳои гуногун дар вафли
Вафли нимноқилҳо асосан аз кремнийи яккристаллӣ бо сабаби фаровонӣ, хосиятҳои аълои электрикӣ ва мутобиқат бо равандҳои стандартии истеҳсоли нимноқилҳо сохта мешаванд. Аммо, вобаста ба дархостҳо ва талаботҳои мушаххас, барои сохтани вафли дигар маводҳо низ метавонанд истифода шаванд. Инҳоянд чанд мисол:
Карбиди кремний (SiC) як маводи нимноқили васеъи банд мебошад, ки дар муқоиса бо маводи анъанавӣ хосиятҳои физикии олиро пешниҳод мекунад. Он ба кам кардани андоза ва вазни дастгоҳҳои дискретӣ, модулҳо ва ҳатто тамоми системаҳо ва баланд бардоштани самаранокӣ кӯмак мекунад.
Хусусиятҳои асосии SiC:
- - Фосилаи васеъ:Фосилаи бандҳои SiC тақрибан се маротиба аз кремний аст, ки ба он имкон медиҳад, ки дар ҳарорати баландтар, то 400 ° C кор кунад.
- - Майдони баланди тақсимоти интиқодӣ:SiC метавонад то даҳ маротиба ба майдони электрикии кремний тобовар бошад, ки онро барои дастгоҳҳои баландшиддат беҳтарин мекунад.
- - Ҳолати гармидиҳии баланд:SiC гармиро ба таври самаранок пароканда мекунад ва ба дастгоҳҳо дар нигоҳ доштани ҳарорати оптималии корӣ ва дароз кардани умри онҳо кӯмак мекунад.
- - Суръати гардиши электронии баланд:Бо дучанд суръати дрейфти кремний, SiC басомадҳои баландтари гузаришро имкон медиҳад, ки ба миниатюризатсияи дастгоҳ мусоидат кунад.
Барномаҳо:
-
-Электроникаи барқ:Дастгоҳҳои барқии SiC дар муҳити баландшиддат, ҷараён, ҳарорати баланд ва басомади баланд бартарӣ доранд ва самаранокии табдили энергияро ба таври назаррас афзоиш медиҳанд. Онҳо ба таври васеъ дар мошинҳои барқӣ, истгоҳҳои пуркунандаи барқ, системаҳои фотоэлектрикӣ, нақлиёти роҳи оҳан ва шабакаҳои интеллектуалӣ истифода мешаванд.
-
- Алоқаи микроволновка:Дастгоҳҳои GaN RF дар асоси SiC барои инфрасохтори алоқаи бесим, махсусан барои пойгоҳҳои пойгоҳи 5G муҳиманд. Ин дастгоҳҳо қобилияти гармидиҳии аълои SiC-ро бо баромади баландбасомади RF-и GaN муттаҳид мекунанд, ки онҳоро барои шабакаҳои телекоммуникатсионӣ дар насли нав интихоби афзалиятнок мегардонанд.
Нитриди галий (GaN)насли сеюм маводи нимноқилҳои фарохмаҷрои васеъ бо фосилаи калон, гузаронандагии баланди гармӣ, суръати баланди гардиши электронҳо ва хусусиятҳои аълои майдони шикаста мебошад. Дастгоҳҳои GaN дар соҳаҳои басомади баланд, баландсуръат ва қудрати баланд, аз қабили равшании каммасрафи LED, дисплейҳои проексияи лазерӣ, мошинҳои барқӣ, шабакаҳои интеллектуалӣ ва алоқаи 5G дурнамои васеъ доранд.
Арсениди галлий (GaAs)маводи нимноқилест, ки бо басомади баланд, ҳаракатнокии баланди электрон, тавлиди нерӯи баланд, садои паст ва хатти хуби худ маълум аст. Он дар саноати оптоэлектроника ва микроэлектроника васеъ истифода мешавад. Дар оптоэлектроника субстратҳои GaAs барои истеҳсоли LED (диодҳои рӯшноӣ), LD (диодҳои лазерӣ) ва дастгоҳҳои фотоэлектрикӣ истифода мешаванд. Дар микроэлектроника, онҳо дар истеҳсоли MESFETs (транзисторҳои саҳроии нимноқилӣ), HEMTs (транзисторҳои ҳаракати электронии баланд), HBTs (транзисторҳои биполярии гетерогрансионалӣ), IC (схемаҳои интегралӣ), диодҳои микроволновка ва дастгоҳҳои эффекти Холл истифода мешаванд.
Фосфиди индиум (InP)яке аз нимноқилҳои муҳими пайвастагии III-V мебошад, ки бо ҳаракатнокии баланди электронии худ, муқовимати аълои радиатсионӣ ва фарогирии фарох маълум аст. Он дар саноати оптоэлектроника ва микроэлектроника васеъ истифода мешавад.
