SemiceraКассетаи вафлиҷузъи муҳими раванди истеҳсоли нимноқилҳо мебошад, ки барои бехатар нигоҳ доштан ва интиқол додани вафли нимноқилҳои нозук пешбинӣ шудааст. ДарКассетаи вафлимуҳофизати истисноиро таъмин мекунад ва кафолат медиҳад, ки ҳар як пластинка ҳангоми коркард, нигоҳдорӣ ва интиқол аз ифлоскунандаҳо ва осеби ҷисмонӣ нигоҳ дошта шавад.
Бо маводи тозагии баланд, ба химия тобовар, Semicera сохта шудаастКассетаи вафлисатҳи баландтарини тозагӣ ва устувориро кафолат медиҳад, ки барои нигоҳ доштани тамомияти вафлиҳо дар ҳар марҳилаи истеҳсол муҳим аст. Муҳандисии дақиқи ин кассетаҳо имкон медиҳад, ки ҳамгироии бефосила бо системаҳои коркарди автоматӣ, кам кардани хатари ифлосшавӣ ва осеби механикӣ.
ТарҳрезииКассетаи вафлиинчунин ҷараёни оптималии ҳаво ва назорати ҳароратро дастгирӣ мекунад, ки барои равандҳое, ки шароити мушаххаси муҳити зистро талаб мекунанд, муҳим аст. Новобаста аз он ки дар утоқҳои тоза ё ҳангоми коркарди гармӣ истифода мешавад, SemiceraКассетаи вафлибарои қонеъ кардани талаботи қатъии саноати нимноқилҳо тарҳрезӣ шудааст, ки иҷрои боэътимод ва пайвастаро барои баланд бардоштани самаранокии истеҳсолот ва сифати маҳсулот таъмин мекунад.
| Ададҳо | Истехсолот | Тадқиқот | Думё |
| Параметрҳои кристалл | |||
| Политип | 4H | ||
| Хатогии самти рӯизаминӣ | <11-20 >4±0,15° | ||
| Параметрҳои электрикӣ | |||
| Допант | Нитроген навъи n | ||
| Муқовимат | 0,015-0,025 Ом·см | ||
| Параметрҳои механикӣ | |||
| Диаметр | 150,0±0,2мм | ||
| Ғафсӣ | 350±25 мкм | ||
| Самти ибтидоии ҳамвор | [1-100]±5° | ||
| Дарозии ибтидоии ҳамвор | 47,5±1,5мм | ||
| Квартираи дуюмдараҷа | Ҳеҷ | ||
| TTV | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
| LTV | ≤3 мкм (5мм*5мм) | ≤5 мкм (5мм*5мм) | ≤10 мкм (5мм*5мм) |
| камон | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Варп | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
| Ноҳамвории пеши (Si-чеҳра) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Сохтор | |||
| Зичии микроқубур | <1 эа/см2 | <10 эа/см2 | <15 эа/см2 |
| Офтобҳои металлӣ | ≤5E10атом/см2 | NA | |
| BPD | ≤1500 д/см2 | ≤3000 д/см2 | NA |
| TSD | ≤500 эа/см2 | ≤1000 эа/см2 | NA |
| Сифати пеш | |||
| Пеш | Si | ||
| Андозаи рӯизаминӣ | Си-чеҳраи CMP | ||
| Зарраҳо | ≤60ea / вафли (андоза≥0.3μm) | NA | |
| Харошидан | ≤5ea/мм. Дарозии ҷамъшуда ≤ Диаметр | Дарозии ҷамъшуда≤2*Диаметр | NA |
| Пӯсти афлесун / чоҳҳо / доғҳо / рахҳо / тарқишҳо / олудашавӣ | Ҳеҷ | NA | |
| микросхемаҳои Edge / indents / шикаста / заррин шонздаҳӣ | Ҳеҷ | ||
| Минтақаҳои политипӣ | Ҳеҷ | Майдони ҷамъшуда≤20% | Майдони ҷамъшуда≤30% |
| Аломати лазерии пеши | Ҳеҷ | ||
| Сифати бозгашт | |||
| Бозгашт ба анҷом | C-чеҳраи CMP | ||
| Харошидан | ≤5ea/mm,Дарозии ҷамъшуда≤2*Диаметр | NA | |
| Нуқсонҳои қафо (чипҳои канорӣ/интентҳо) | Ҳеҷ | ||
| Ноҳамвории пушти сар | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Нишондиҳии лазерии қафо | 1 мм (аз канори боло) | ||
| Edge | |||
| Edge | Чамфер | ||
| Бастабандӣ | |||
| Бастабандӣ | Эпи-тайёр бо бастаи вакуумӣ Бастаи кассетаи бисёрвафли | ||
| *Эзоҳҳо: "NA" маънои ҳеҷ гуна дархостро надорад Ададҳои зикрнашуда метавонанд ба SEMI-STD ишора кунанд. | |||
