Киштии вафли

Тавсифи кӯтоҳ:

Қаиқҳои вафли ҷузъҳои асосии раванди истеҳсоли нимноқилҳо мебошанд. Semiera қодир аст, ки қаиқҳои вафлиро таъмин кунад, ки барои равандҳои диффузия махсус тарҳрезӣ ва истеҳсол карда шудаанд, ки дар истеҳсоли микросхемаҳои баланди интегралӣ нақши муҳим доранд. Мо қатъиян омодаем, ки маҳсулоти баландсифатро бо нархҳои рақобатпазир пешниҳод кунем ва интизорем, ки шарики дарозмуддати шумо дар Чин гардем.


Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Афзалиятҳо

Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд
Муқовимати аъло ба зангзанӣ
Муқовимати хуб ба абр
Коэффисиенти баланди гармигузаронӣ
Худтанзимкунӣ, зичии паст
Сахтии баланд
Тарҳрезии фармоишӣ.

HGF (2)
HGF (1)

Барномаҳо

- Майдони ба фарсуда тобовар: бутта, табақ, сопло регрезӣ, андоваи сиклон, баррели дастос ва ғайра ...
- Майдони ҳарорати баланд: плитаи siC, найчаи оташдон, қубури радиантӣ, тигал, унсури гармидиҳӣ, роллер, чӯб, мубодилаи гармӣ, қубури ҳавои хунук, сопло сӯзон, найчаи муҳофизати термопар, қаиқҳои SiC, сохтори мошини танӯр, танзимкунанда ва ғайра.
-Нимноқилҳои карбиди кремний: қаиқ вафли SiC, чаки сик, падл, кассетаи сик, найи диффузияи сик, чангак вафли, табақи соркунанда, роҳнамо ва ғайра.
- Майдони мӯҳри карбиди кремний: ҳама намудҳои ҳалқаи мӯҳр, подшипник, бутта ва ғайра.
- Майдони фотоэлектрикӣ: Падли кантилвер, баррели дастос, ғалтаки карбиди кремний ва ғайра.
- Майдони батареяи литий

ВАФЕР (1)

ВАФЕР (2)

Хусусиятҳои физикии SiC

Амвол Арзиш Усул
Зичии 3,21 г/куб Равзанаи шинокунанда ва андоза
Гармии хос 0,66 Ҷ/г °К Дурахши лазерии импулс
Қувваи флексия 450 МПа 560 МПа 4 нуқтаи хам, RT4 нуқтаи хам, 1300 °
Мушкилии шикаста 2,94 МПа м1/2 Микроиндентатсия
Сахтӣ 2800 Викер, 500 г бор
Модули эластикӣ Модули ҷавон 450 GPa430 GPa 4 pt хам, RT4 pt хам, 1300 °C
Андозаи дона 2 – 10 мкм SEM

Хусусиятҳои гармидиҳии SiC

Кобилияти гармигузаронӣ 250 Вт/м °К Усули флеши лазерӣ, RT
Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE) 4,5 x 10-6 °К Ҳарорати хона то 950 °C, дилатометри кремний

Параметрҳои техникӣ

Адад Воҳиди Маълумот
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Мазмуни SiC % 85 75 99 99,9 ≥99
Мазмуни кремний ройгон % 15 0 0 0 0
Ҳарорати максималии хидмат 1380 1450 1650 1620 1400
Зичии г/см3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Порозияи кушода % 0 13-15 0 15-18 7-8
Қувваи печидан 20 ℃ Мпа 250 160 380 100 /
Қувваи печидан 1200 ℃ Мпа 280 180 400 120 /
Модули чандирии 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Модули чандирии 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Қобилияти гармидиҳӣ 1200 ℃ В/мК 45 19.6 100-120 36.6 /
Коэффисиенти васеъшавии гармӣ K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV кг/мm2 2115 / 2800 / /

Сарпӯши карбиди кремнийи CVD дар рӯи берунии маҳсулоти сафолии дубора кристаллшудаи кремний карбиди метавонад ба тозагии зиёда аз 99,9999% барои қонеъ кардани ниёзҳои муштариён дар саноати нимноқилҳо расад.

Ҷои кори нимҷазира
Ҷои кори нимҷазира 2
Мошини таҷҳизот
коркарди CNN, тозакунии кимиёвӣ, молидани CVD
Хидмати мо

  • гузашта:
  • Баъдӣ: