Ширкати мо таъмин менамоядСарпӯши SiCкоркарди хидматҳо дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо бо усули CVD, то ки газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои Sic-и тозаи баландро ба даст оранд, ки метавонанд дар рӯи маводи пӯшонидашуда ҷойгир карда шаванд.Қабати муҳофизатии SiCбарои epitaxy баррел навъи hy pnotic.
Хусусиятҳои асосӣ:
1 .Графити дорои сатҳи баланди SiC
2. Муқовимати гармии олӣ ва якрангии гармӣ
3. ХубSiC кристаллӣ пӯшида шудаастбарои сатҳи ҳамвор
4. Муқовимати баланд бар зидди тозакунии кимиёвӣ
Мушаххасоти асосииСарпӯши CVD-SIC
| Хусусиятҳои SiC-CVD | ||
| Сохтори кристаллӣ | Марҳилаи β FCC | |
| Зичии | г/см ³ | 3.21 |
| Сахтӣ | Сахтии Викерс | 2500 |
| Андозаи ғалла | мкм | 2~10 |
| Тозагии химиявӣ | % | 99.99995 |
| Иқтидори гармӣ | J·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Ҳарорати сублиматсия | ℃ | 2700 |
| Қувваи Felexural | МПа (RT 4-нуқта) | 415 |
| Модули ҷавон | Gpa (4pt хам, 1300 ℃) | 430 |
| Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Қобилияти гармидиҳӣ | (Вт/мК) | 300 |
