Асбоби графити кремнийи карбиди пӯшида, барои Epitaxy Craft

Тавсифи кӯтоҳ:

Semicera як қатор мукаммали ҳассосиятҳо ва ҷузъҳои графитро пешниҳод мекунад, ки барои реакторҳои гуногуни эпитаксия пешбинӣ шудаанд.

Тавассути шарикии стратегӣ бо OEM-ҳои пешрафтаи соҳа, таҷрибаи васеи маводҳо ва қобилиятҳои пешрафтаи истеҳсолӣ, Semicera тарҳҳои мувофиқро барои қонеъ кардани талаботи мушаххаси барномаи шумо пешкаш мекунад. Уҳдадории мо ба аълосифат кафолат медиҳад, ки шумо барои эҳтиёҷоти реактори эпитаксионии худ ҳалли оптималиро мегиред.

 

 


Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Тавсифи

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC.

дар бораи (1)

дар бораи (2)

Хусусиятҳои асосӣ

1 .Графити дорои сатҳи баланди SiC

2. Муқовимати гармии олӣ ва якрангии гармӣ

3. кристалл хуб SiC Камушки барои сатҳи ҳамвор

4. Муқовимати баланд бар зидди тозакунии кимиёвӣ

Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating

Хусусиятҳои SiC-CVD
Сохтори кристаллӣ Марҳилаи β FCC
Зичии г/см ³ 3.21
Сахтӣ Сахтии Викерс 2500
Андозаи ғалла мкм 2~10
Тозагии химиявӣ % 99.99995
Иқтидори гармӣ J·кг-1 ·К-1 640
Ҳарорати сублиматсия 2700
Қувваи Felexural МПа (RT 4-нуқта) 415
Модули ҷавон Gpa (4pt хам, 1300 ℃) 430
Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE) 10-6К-1 4.5
Қобилияти гармидиҳӣ (Вт/мК) 300
Ҷои кори нимҷазира
Ҷои кори нимҷазира 2
Мошини таҷҳизот
коркарди CNN, тозакунии кимиёвӣ, молидани CVD
Хидмати мо

  • гузашта:
  • Баъдӣ: