SiC Coating Graphite Wafer Susceptor

Тавсифи кӯтоҳ:

Semicera Semiconductor аз SiC Coating Graphite Wafer Susceptor иҷрои аълои гармӣ ва устувориро барои коркарди вафли таъмин мекунад. Ба Semicera барои ҳассосиятҳои пешрафтаи SiC-пӯшонидашуда такя кунед, ки барои баланд бардоштани самаранокӣ ва эътимоднокӣ дар барномаҳои нимноқил пешбинӣ шудаанд.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Тавсифи

Сусепторҳои SiC Wafer Semicorex барои MOCVD (таҳиши буғи химиявии металлӣ-органикӣ) барои қонеъ кардани талаботи дақиқи равандҳои таҳшиншавии эпитаксиалӣ тарҳрезӣ шудаанд. Бо истифода аз карбиди баландсифати кремний (SiC), ин ҳассосиятҳо устуворӣ ва иҷроишро дар муҳитҳои ҳарорати баланд ва зангзананда пешниҳод намуда, афзоиши дақиқ ва самараноки маводи нимноқилро таъмин мекунанд.

Хусусиятҳои асосӣ:

1. Хусусиятҳои олии моддӣҲасбкунандаҳои вафли мо аз SiC-и дараҷаи олӣ сохта шудаанд, қобилияти гармидиҳии истисноӣ ва муқовимати кимиёвӣ доранд. Ин хосиятҳо ба онҳо имкон медиҳанд, ки ба шароити шадиди равандҳои MOCVD, аз ҷумла ҳарорати баланд ва газҳои зангзананда тоб оранд, умри дароз ва кори боэътимодро таъмин кунанд.

2. Дақиқӣ дар Депозитсияи эпитаксиалӣМуҳандисии дақиқи SiC Wafer Susceptors тақсимоти яксони ҳароратро дар рӯи вафли таъмин намуда, ба афзоиши пайваста ва баландсифати қабати эпитаксиалӣ мусоидат мекунад. Ин дақиқӣ барои истеҳсоли нимноқилҳои дорои хосиятҳои беҳтарини электрикӣ муҳим аст.

3. Давомнокии мукаммалМаводи мустаҳками SiC муқовимати аълоро ба фарсудашавӣ ва таназзул, ҳатто дар зери таъсири доимӣ ба муҳити сахти раванд таъмин мекунад. Ин устуворӣ басомади ивазкунии ҳассосҳоро коҳиш дода, вақти бекорӣ ва хароҷоти амалиётиро кам мекунад.