Тавсифи
Сусепторҳои SiC Wafer Semicorex барои MOCVD (таҳиши буғи химиявии металлӣ-органикӣ) барои қонеъ кардани талаботи дақиқи равандҳои таҳшиншавии эпитаксиалӣ тарҳрезӣ шудаанд. Бо истифода аз карбиди баландсифати кремний (SiC), ин ҳассосиятҳо устуворӣ ва иҷроишро дар муҳитҳои ҳарорати баланд ва зангзананда пешниҳод намуда, афзоиши дақиқ ва самараноки маводи нимноқилро таъмин мекунанд.
Хусусиятҳои асосӣ:
1. Хусусиятҳои олии моддӣҲасбкунандаҳои вафли мо аз SiC-и дараҷаи олӣ сохта шудаанд, қобилияти гармидиҳии истисноӣ ва муқовимати кимиёвӣ доранд. Ин хосиятҳо ба онҳо имкон медиҳанд, ки ба шароити шадиди равандҳои MOCVD, аз ҷумла ҳарорати баланд ва газҳои зангзананда тоб оранд, умри дароз ва кори боэътимодро таъмин кунанд.
2. Дақиқӣ дар Депозитсияи эпитаксиалӣМуҳандисии дақиқи SiC Wafer Susceptors тақсимоти яксони ҳароратро дар сатҳи вафли таъмин намуда, ба афзоиши пайваста ва баландсифати қабати эпитаксиалӣ мусоидат мекунад. Ин дақиқӣ барои истеҳсоли нимноқилҳои дорои хосиятҳои беҳтарини электрикӣ муҳим аст.
3. Давомнокии мукаммалМаводи мустаҳками SiC муқовимати аълоро ба фарсудашавӣ ва таназзул, ҳатто дар зери таъсири доимӣ ба муҳити сахти раванд таъмин мекунад. Ин устуворӣ басомади ивазкунии ҳассосҳоро коҳиш дода, вақти бекорӣ ва хароҷоти амалиётиро кам мекунад.
Барномаҳо:
Susceptors SiC Wafer Semicorex барои MOCVD барои:
• Афзоиши эпитаксиалии маводи нимноқилӣ
• Равандҳои MOCVD-и ҳарорати баланд
• Истеҳсоли GaN, AlN ва дигар нимноқилҳои мураккаб
• Барномаҳои пешрафтаи истеҳсоли нимноқилҳо
Хусусиятҳои асосии Coatings CVD-SIC:
Манфиатҳо:
•Дақиқии баланд: Рушди якхела ва хушсифати эпитаксиалиро таъмин мекунад.
•Иҷрои дарозмуддат: Давомнокии истисноӣ басомади ивазкуниро коҳиш медиҳад.
• Самаранокии хароҷот: Хароҷоти амалиётиро тавассути кам кардани вақти бекорӣ ва нигоҳдорӣ кам мекунад.
•Гуногунӣ: Барои мувофиқ кардани талаботҳои гуногуни равандҳои MOCVD танзимшаванда.
