Дар сохаи истехсоли нимнокилхоSiC Paddleмахсусан дар раванди афзоиши эпитаксиалӣ нақши ҳалкунанда мебозад. Ҳамчун ҷузъи асосӣ дарMOCVD(Системаҳои буғи химиявии органикии металлӣ),Paddles SiCбарои тоб овардан ба ҳарорати баланд ва муҳитҳои аз ҷиҳати кимиёвӣ сахт тарҳрезӣ шудаанд, ки онҳоро барои истеҳсолоти пешрафта ҳатмӣ мегардонанд. Дар Semicera, мо ба истеҳсоли баландсифат тахассус доремPaddles SiCбарои ҳарду пешбинӣ шудаастЭпитаксияваSiC Epitaxy, устувории истисноӣ ва устувории гармиро пешниҳод мекунад.
Истифодаи SiC Paddles махсусан дар равандҳо ба монанди афзоиши эпитаксиалӣ, ки дар он субстрат ба шароити дақиқи гармӣ ва химиявӣ ниёз дорад, маъмул аст. Маҳсулоти Semicra-и мо иҷрои беҳтаринро дар муҳитҳое, ки аҲабси MOCVD, ки дар он кабатхои карбиди кремнийи баландсифат дар зери замин гузошта мешаванд. Ин ба беҳтар шудан мусоидат мекунадвафлисифат ва самаранокии баландтари дастгох дар истехсоли нимнокилхо.
СемисераPaddles SiCна танхо барои он пешбинй карда шудаандЭпитаксиябалки инчунин барои як катор дигар замимахои мухим муво-фик аст. Масалан, онҳо бо интиқолдиҳандаҳои PSS Etching мувофиқанд, ки дар истеҳсоли вафли LED муҳиманд ваИнтиқолдиҳандагони ICP Etching, ки дар он ҷо назорати дақиқи ион барои шакл додани вафли зарур аст. Ин падлҳо барои системаҳои монанди интеграл мебошандИнтиқолдиҳандагони RTP(Коркарди гармидиҳии босуръат), ки дар он зарурати гузариши зуди ҳарорат ва гузариши баланди гармӣ муҳим аст.
Илова бар ин, SiC Paddles ҳамчун ҳассосияти эпитаксиалии LED хидмат мекунанд, ки ба афзоиши вафли LED-и баландсифат мусоидат мекунанд. Қобилияти идора кардани фишорҳои гуногуни гармӣ ва муҳити зист онҳоро дар равандҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳо хеле гуногунранг месозад.
Дар маҷмӯъ, Semicera ӯҳдадор аст, ки Paddles SiC-ро расонад, ки ба талаботи дақиқи истеҳсоли нимноқилҳои муосир ҷавобгӯ бошанд. Аз SiC Epitaxy то Susceptors MOCVD, қарорҳои мо эътимоднокӣ ва иҷрои беҳтарро таъмин намуда, ба талаботи пешрафтаи соҳа қонеъ мекунанд.
Вақти фиристодан: сентябр-07-2024