Эпитаксия чист?

Аксари муҳандисон бо онҳо шинос нестандэпитаксия, ки дар истехсоли дастгоххои нимнокил роли калон мебозад.Эпитаксиямумкин аст дар маҳсулоти чипи гуногун истифода бурда мешавад, ва маҳсулоти гуногун дорои намудҳои гуногуни epitaxy, аз ҷумлаЭпитаксия, Эпитаксияи SiC, Эпитаксияи GaN, ва гайра.

Эпитаксия чист?
Эпитаксия аксар вақт дар забони англисӣ "Epitaxy" номида мешавад. Ин калима аз калимаҳои юнонии “epi” (маънои “боло”) ва “такси” (маънои “ташкил”) гирифта шудааст. Тавре ки аз ном бармеояд, ин маънои онро дорад, ки дар болои ашё дуруст ҷойгир карда шавад. Раванди эпитаксия ин гузоштани як қабати тунуки як кристалл дар як субстрати кристалл мебошад. Ин қабати яккристалии нав ҷойгиршуда қабати эпитаксиалӣ номида мешавад.

Ду намуди асосии эпитаксия вуҷуд дорад: гомоэпитаксиалӣ ва гетероэпитаксиалӣ. Homoepitaxial ба парвариши як мавод дар як намуди субстрат дахл дорад. Қабати эпитаксиалӣ ва субстрат комилан якхела сохтори торӣ доранд. Гетероепитаксия афзоиши маводи дигар дар субстрати як мавод мебошад. Дар ин ҳолат, сохтори тории қабати булӯри эпитаксиалӣ ва субстрат метавонад гуногун бошад. Монокристалл ва поликристалл чист?
Дар нимноқилҳо мо аксар вақт истилоҳҳои кремнийи монокристаллӣ ва кремнийи поликристалиро мешунавем. Чаро баъзе кремнийро монокристалл ва баъзе кремнийро поликристалл меноманд?

Кристали ягона: Ҷойгиршавии торҳо бе сарҳадҳои дандонҳо бетағйир ва бетағйир аст, яъне тамоми кристалл аз як торчаи ягона бо самти кристаллии пайваста иборат аст. Поликристалӣ: Поликристалӣ аз бисёр донаҳои хурд иборат аст, ки ҳар яки онҳо як кристалл мебошанд ва самти онҳо нисбат ба ҳамдигар тасодуфӣ мебошанд. Ин донаҳоро сарҳади донаҳо ҷудо мекунанд. Арзиши истеҳсоли маводи поликристаллӣ нисбат ба як кристалл пасттар аст, бинобар ин онҳо дар баъзе барномаҳо ҳанӯз муфиданд. Раванди эпитаксиалӣ дар куҷо ҷалб карда мешавад?
Дар истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ дар асоси кремний процесси эпитаксиалӣ васеъ истифода мешавад. Масалан, эпитаксияи кремний барои парвариши қабати кремнийи соф ва ба таври дақиқ назоратшаванда дар субстрати кремний истифода мешавад, ки барои истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ хеле муҳим аст. Илова бар ин, дар дастгоҳҳои барқӣ, SiC ва GaN ду маводи нимноқилҳои васеъ истифодашаванда бо қобилиятҳои аълои коркарди нерӯ мебошанд. Ин маводҳо одатан дар кремний ё дигар субстратҳо тавассути эпитаксия парвариш карда мешаванд. Дар иртиботи квантӣ, битҳои квантӣ ба нимноқилҳо одатан сохторҳои эпитаксиалии кремний германийро истифода мебаранд. Ва гайра.

Усулҳои афзоиши эпитаксиалӣ?

Се усули эпитаксияи нимноқилҳои маъмулан истифодашаванда:

Эпитаксияи чӯби молекулавӣ (MBE): Эпитаксияи чӯби молекулавӣ як технологияи афзоиши эпитаксиалии нимноқил мебошад, ки дар шароити вакууми ултра баланд иҷро карда мешавад. Дар ин технология, маводи манбаъ дар шакли атомҳо ё чӯбҳои молекулавӣ бухор карда мешавад ва сипас дар як субстрати кристаллӣ ҷойгир карда мешавад. MBE як технологияи афзоиши филми тунуки нимноқилҳои хеле дақиқ ва идорашаванда мебошад, ки метавонад ғафсии маводи гузошташударо дар сатҳи атом дақиқ назорат кунад.

CVD-и органикии металлӣ (MOCVD): Дар раванди MOCVD, металлҳои органикӣ ва газҳои гидридӣ, ки дорои унсурҳои зарурӣ мебошанд, дар ҳарорати мувофиқ ба субстрат дода мешаванд ва маводи нимноқилҳои зарурӣ тавассути реаксияҳои кимиёвӣ тавлид мешаванд ва дар рӯи замин ҷойгир карда мешаванд, дар ҳоле ки боқимонда пайвастагиҳо ва маҳсулоти реаксияҳо хориҷ карда мешаванд.

Эпитаксияи марҳилаи буғӣ (VPE): Эпитаксияи марҳилаи буғӣ як технологияи муҳимест, ки маъмулан дар истеҳсоли дастгоҳҳои нимноқил истифода мешавад. Принсипи асосии он интиқоли буғи як модда ё пайвастагиро дар гази интиқолдиҳанда ва гузоштани кристаллҳо дар субстрат тавассути реаксияҳои кимиёвӣ мебошад.