【 Тавсифи мухтасар 】 Дар муосири C, N, B ва дигар ашёи хоми оксиди баландтехнологии оташ тобовар, фишори атмосферӣ синтеризатсия карда шудаасткарбиди кремнийвасеъ ва сарфакор буда, гуф-тан мумкин аст, ки регхои зумуррад ё рефрак-тор. Поккарбиди кремнийкристалл шаффоф бе ранг аст. Пас, сохтори моддӣ ва хусусиятҳои он чӣ гуна асткарбиди кремний?
Сохтори моддии фишори атмосфера sinteredкарбиди кремний:
Фишори атмосфера ба ву-чуд омадкарбиди кремнийки дар саноат истифода мешавад, аз рӯи намуд ва таркиби ифлосиҳо зарди сабук, сабз, кабуд ва сиёҳ буда, тозагӣ дигар ва шаффофият дигар аст. Сохтори булӯри карбиди кремний ба плутонийи шашкалима ё алмосшакл ва плутонийи мукааб-sic тақсим карда мешавад. Плутоний-сик аз сабаби тартиби гуногуни ҷойгиркунии атомҳои карбон ва кремний дар сохтори кристалл деформатсияи гуногунро ташкил медиҳад ва зиёда аз 70 намуди деформатсия пайдо шудааст. бета-SIC ба alpha-SIC болотар аз 2100 табдил меёбад. Раванди саноатии карбиди кремний бо реги кварцӣ ва кокси нафтӣ дар кӯраи муқовимат тоза карда мешавад. Блокҳои карбиди кремнийи тозашуда кӯфта, тоза кардани кислотаҳо, ҷудокунии магнитӣ, скрининг ё интихоби об барои истеҳсоли маҳсулоти гуногуни андозаи зарраҳо.
Хусусиятҳои моддии фишори атмосферакарбиди кремнийи агломерашуда:
Карбиди кремний дорои устувории хуби кимиёвӣ, гузариши гармӣ, коэффисиенти васеъшавии гармӣ, муқовимати фарсудашавӣ мебошад, аз ин рӯ ба ғайр аз истифодаи абразивӣ, бисёр истифодаҳо мавҷуданд: Масалан, хокаи карбиди кремний дар девори дарунии чархи турбина ё блоки силиндрӣ пӯшонида мешавад. раванди махсус, ки метавонад муқовимати фарсудашавии беҳтар ва дароз кардани умри аз 1 то 2 маротиба. Аз ба гармӣ тобовар, андозаи хурд, вазни сабук, қувваи баланди маводи рефрактори дараҷаи олӣ, самаранокии энергия хеле хуб аст. Карбиди кремнийи дараҷаи паст (аз ҷумла тақрибан 85% SiC) як деоксиди аъло барои баланд бардоштани суръати пӯлод ва ба осонӣ назорат кардани таркиби химиявӣ барои беҳтар кардани сифати пӯлод мебошад. Илова бар ин, карбиди кремнийи синтершудаи фишори атмосфера инчунин дар истеҳсоли қисмҳои электрикии чӯбҳои карбон кремний васеъ истифода мешавад.
Карбиди кремний хеле сахт аст. Сахтии Морзе 9,5 аст, пас аз алмоси сахти ҷаҳон дуюм аст (10), нимноқилест, ки гармидиҳии аъло дорад, метавонад ба оксидшавӣ дар ҳарорати баланд муқобилат кунад. Карбиди кремний ҳадди аққал 70 намуди кристаллӣ дорад. Карбиди плутоний-силикон як изомери маъмул аст, ки дар ҳарорати болотар аз 2000 ба вуҷуд меояд ва сохтори кристаллии шашкунҷа дорад (монанд ба вуртцит). Карбиди кремний дар зери фишори атмосфера
Ариза азкарбиди кремнийдар саноати нимноқилҳо
Занҷири саноати нимноқилҳои кремний карбиди асосан хокаи баландсифати карбиди кремний, субстрати яккристалл, варақи эпитаксиалӣ, ҷузъҳои барқ, бастабандии модул ва замимаҳои терминалро дар бар мегирад.
1. Субстрати ягонаи кристаллӣ Як субстрати кристаллӣ як маводи нимноқилӣ, маводи гузаронанда ва субстрати афзоиши эпитаксиалӣ мебошад. Дар айни замон, усулҳои афзоиши як кристалл SiC усули интиқоли физикии буғ (усули PVT), усули фазаи моеъ (усули LPE) ва усули таҳшинсозии буғи кимиёвии ҳарорати баланд (усули HTCVD) мебошанд. Карбиди кремний дар зери фишори атмосфера
2. Лавҳаи эпитаксиалӣ варақаи эпитаксиалии кремний, варақи карбиди кремний, филми ягонаи кристаллӣ (қабати эпитаксиалӣ) бо ҳамон самт бо кристалл оксиген, ки дорои талаботи муайян барои субстрат карбиди кремний мебошад. Дар барномаҳои амалӣ, дастгоҳҳои нимноқилҳои фарохи фарох тақрибан ҳама дар қабати эпитаксиалӣ истеҳсол карда мешаванд ва худи чипи кремний танҳо ҳамчун субстрат, аз ҷумла субстрати қабати эпитаксиалии GaN истифода мешавад.
3. Хокаи карбиди кремнийи баландсифат Хокаи карбиди кремнийи баландсифат ашёи хоми афзоиши як кристалл карбиди кремний бо усули PVT мебошад ва покии маҳсулот бевосита ба сифати афзоиш ва хусусиятҳои электрикии як кристалл карбиди кремний таъсир мерасонад.
4. Дастгоҳи барқ як қудрати фарохмаҷро аз маводи карбиди кремний, ки дорои хусусиятҳои ҳарорати баланд, басомади баланд ва самаранокии баланд аст. Мувофиқи шакли кори дастгоҳ, дастгоҳи таъминоти барқи SiC асосан диод ва найчаи интиқоли барқро дар бар мегирад.
5. Терминал Дар замимаҳои нимноқилҳои насли сеюм нимноқилҳои карбиди кремний бартарияти иловагии нимноқилҳои нитриди галлий доранд. Аз сабаби самаранокии баланди табдилдиҳӣ, хусусиятҳои гармидиҳии паст, сабук ва дигар бартариҳои дастгоҳҳои SiC, талаботи саноати поёноб афзоиш меёбад ва тамоюли иваз кардани дастгоҳҳои SiO2 вуҷуд дорад.
Вақти фиристодан: октябр-16-2023