LiNbO3 вафли пайвастшавӣ

Тавсифи кӯтоҳ:

Кристалли ниобати литий дорои хосиятҳои аълои электро-оптикӣ, акусто-оптикӣ, пьезоэлектрикӣ ва ғайрихаттӣ мебошад. Кристалл ниобати литий як кристалл муҳими бисёрфунксионалӣ бо хосиятҳои хуби оптикии ғайрихаттӣ ва коэффисиенти бузурги оптикии ғайрихаттӣ мебошад; он инчунин метавонад мутобиқати марҳилаи ғайримуқаррариро ба даст орад. Ҳамчун кристалл электро-оптикӣ, он ҳамчун маводи муҳими мавҷи оптикӣ истифода шудааст; ҳамчун кристалл piezoelectric, он метавонад истифода шавад барои сохтани филтрҳои миёна ва паст басомади SAW, баланд-қудрати баланд тобовар ultrasonic transducers ҳарорат ва ғайра маводи doped litium niobate низ ба таври васеъ истифода бурда мешавад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Вафери LiNbO3 Bonding Semicera барои қонеъ кардани талаботи баланди истеҳсоли пешрафтаи нимноқилҳо тарҳрезӣ шудааст. Бо хосиятҳои истисноии худ, аз ҷумла муқовимат ба фарсудашавӣ, устувории баланди гармӣ ва тозагии барҷаста, ин вафли барои истифода дар барномаҳое, ки дақиқ ва иҷрои дарозмуддатро талаб мекунанд, беҳтарин аст.

Дар саноати нимноқилҳо, LiNbO3 Bonding Wafers одатан барои пайваст кардани қабатҳои тунук дар дастгоҳҳои оптоэлектронӣ, сенсорҳо ва IC-ҳои пешрафта истифода мешаванд. Онҳо махсусан дар фотоника ва MEMS (системаҳои микро-электромеханикӣ) аз сабаби хосиятҳои аълои диэлектрикӣ ва қобилияти тобоварӣ ба шароити сахти корӣ қадр карда мешаванд. Вафери LiNbO3 Bonding Semicera барои дастгирии пайвастагии дақиқи қабат, баланд бардоштани самаранокӣ ва эътимоднокии дастгоҳҳои нимноқилӣ таҳия шудааст.

Хусусиятҳои гармидиҳӣ ва электрикии LiNbO3
Нуқтаи обшавӣ	1250 ℃
Ҳарорати Кюри	1140 ℃
Қобилияти гармидиҳӣ	38 Вт/м/К @ 25 ℃
Коэффисиенти васеъшавии гармӣ (@ 25 ° C)	//a, 2,0×10^-6/К //c, 2,2×10^-6/К
Муқовимат	2×10^-6Ω·см @ 200 ℃
Муқовимати диэлектрикӣ	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2
Доимии пьезоэлектрикӣ	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Коэффисиенти электро-оптикӣ	γТ₃₃=32 саҳар/V, γS₃₃=31 саҳар/V, γТ₃₁= 10 бегоҳ/V, γS₃₁= 20.6 pm/V, γТ₂₂=6,8 саҳар/V, γS₂₂=3,4 саҳар/V,
Шиддати ниммавҷ, DC Майдони электр // z, нур ⊥ Z; Майдони электр // х ё у, нур ⊥ z	3,03 КВ 4,02 КВ

Вафли LiNbO3 бо истифода аз маводи баландсифат сохта шудааст, ҳатто дар шароити шадид эътимоднокии пайвастаро таъмин мекунад. Устувории баланди гармии он онро махсусан барои муҳитҳое, ки ҳарорати баланд доранд, мувофиқ месозад, ба монанди онҳое, ки дар равандҳои эпитаксиси нимноқилӣ мавҷуданд. Илова бар ин, тозагии баланди вафли ҳадди ақали олудашавиро таъмин мекунад ва онро барои барномаҳои муҳими нимноқилӣ интихоби боэътимод месозад.

Дар Semicera, мо ӯҳдадор ҳастем, ки ҳалли пешрафтаи соҳаро пешниҳод кунем. Wafer LiNbO3 Bonding мо барои барномаҳое, ки тозагии баланд, муқовимати фарсудашавӣ ва устувории гармиро талаб мекунанд, устуворӣ ва қобилиятҳои баландсифатро таъмин мекунад. Новобаста аз он ки барои истеҳсоли пешрафтаи нимноқилҳо ё дигар технологияҳои махсус, ин пластинка ҳамчун ҷузъи муҳим барои истеҳсоли дастгоҳҳои муосир хизмат мекунад.