Semicera барои ҷузъҳо ва интиқолдиҳандагони гуногун рӯйпӯшҳои махсуси карбиди танталиро (TaC) таъмин мекунад.Раванди пӯшиши пешбари Semicera Semicera ба рӯйпӯшҳои карбиди тантал (TaC) имкон медиҳад, ки тозагии баланд, устувории ҳарорати баланд ва таҳаммулпазирии баланди кимиёвӣ, беҳтар кардани сифати маҳсулоти кристаллҳои SIC/GAN ва қабатҳои EPI (Ҳасбкунандаи TaC бо графитӣ) ва дароз кардани умри ҷузъҳои асосии реактор. Истифодаи пӯшиши тантали карбиди TaC барои ҳалли мушкилоти канорӣ ва беҳтар кардани сифати афзоиши кристалл мебошад ва Semicera рахнашавии технологияи пӯшиши карбиди танталиро (CVD) ҳал карда, ба сатҳи пешрафтаи байналмилалӣ расидааст.
Пас аз солҳои рушд, Semicera технологияи онро забт кардCVD TaCбо чидду чахди якчояи шуъбаи тадкикоти илмй. Дар раванди афзоиши вафли SiC камбудиҳо ба осонӣ ба амал меоянд, аммо пас аз истифодаTaC, тафовут назаррас аст. Дар зер муқоисаи вафли бо ва бе TaC, инчунин қисмҳои Semicera барои афзоиши монокристалл оварда шудааст.
бо ва бе TaC
Пас аз истифодаи TaC (аз рост)
Илова бар ин, мӯҳлати хидматрасонии маҳсулоти пӯшиши TaC Semicera нисбат ба молидани SiC дарозтар ва ба ҳарорати баланд тобовартар аст. Пас аз муддати тӯлонии маълумотҳои ченкунии лабораторӣ, TaC-и мо метавонад муддати тӯлонӣ дар ҳадди аксар 2300 дараҷа кор кунад. Инҳоянд баъзе аз намунаҳои мо:
(а) Диаграммаи схемавии дастгоҳи парвариши як кристалл SiC бо усули PVT (б) Кронштейн тухмии болопӯши TaC (аз ҷумла тухмии SiC) (в) ҳалқаи дастури графити бо TAC пӯшонидашуда
