Сифати аълои Таъминоти Фабрикаи Силикон Карбиди (SiC) Элементи гармидиҳӣ

Афзалиятҳои мо нархҳои пасттар, дастаи динамикии фурӯш, QC-и махсус, заводҳои қавӣ, маҳсулот ва хидматҳои босифат барои сифати аълои Фабрикаи Таъмини Силикони Карбиди (SiC) Элементи гармидиҳӣ мебошанд. муносибатхои тичоратй ва муваффакияти тарафайн!
Афзалиятҳои мо ин нархҳои паст, дастаи динамикии фурӯш, QC-и махсус, заводҳои қавӣ, маҳсулот ва хидматҳои баландсифат мебошанд.Унсури гармидиҳии Чин ва унсурҳои гармидиҳии Sic, Бешубҳа, бояд дар ҳақиқат яке аз ин объектҳо ба шумо кунҷковӣ бошад, боварӣ ҳосил кунед, ки ба мо имкон медиҳад, ки бидонед. Мо бо камоли майл ба шумо иқтибосро дар бораи гирифтани мушаххасоти ҳамаҷониба пешкаш хоҳем кард. Мо муҳандисони касбии R&D-и худро дорем, ки ба ҳама гуна талабот ҷавобгӯ бошанд, Мо бесаброна интизорем, ки дархостҳои шуморо ба зудӣ қабул кунем ва умедворем, ки имкони дар оянда бо шумо ҳамкорӣ карданро дорем. Хуш омадед ба ташкилоти мо назар кунед.

Тавсифи

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC.

Хусусиятҳои асосӣ

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:
муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз ҳам хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 С баланд аст.
2. тозагии баланд: дод аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд.
3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.
4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating

Чеҳраи Ширкат

WeiTai Energy яке аз истеҳсолкунандагон ва таъминкунандагони паллетҳои эпитаксиалии карбиди кремний дар Чин мебошад. Маҳсулоти асосии мо иборатанд аз: плитаҳои карбиди кремний, прицепҳои қаиқҳои карбиди кремний, қаиқҳои вафли кремнийи карбиди (PV & нимноқил), қубурҳои кӯраи кремний, падлҳои кремнийи карбиди, чакҳои карбиди кремний, чӯбҳои карбиди кремний, инчунин CVD ва CV Сарпӯшҳои TaC.

Маҳсулот асосан дар саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикӣ, аз қабили афзоиши кристалл, эпитаксия, кӯза, бастабандӣ, пӯшиш ва таҷҳизоти оташдонҳои диффузӣ истифода мешаванд. Палетҳои эпитаксиалии SIC-ро бо нархи арзон аз заводи мо харед. Мо бренди шахсии худро дорем ва мо инчунин миқдори зиёди онро дастгирӣ мекунем. Агар шумо ба маҳсулоти мо таваҷҷӯҳ дошта бошед, мо ба шумо нархи арзон медиҳем. Хуш омадед ба навтарин маҳсулоти тахфифи баландсифати мо.

Ширкати мо дорои таҷҳизоти мукаммали истеҳсолӣ, аз қабили қолаби, агломератсия, коркард, таҷҳизоти рӯйпӯш ва ғайра мебошад, ки метавонад ҳамаи пайвандҳои зарурии истеҳсоли маҳсулотро анҷом диҳад ва қобилияти баландтари сифати маҳсулотро дошта бошад; Плани оптималии истехсолотро мувофики эхтиёчоти махсулот интихоб кардан мумкин аст, ки дар натича арзиши аслии он арзон ва ба харидорон махсулоти ракобатпазиртар таъмин карда мешавад; Мо метавонем истеҳсолотро дар асоси талаботи интиқоли фармоиш ва дар якҷоягӣ бо системаҳои идоракунии фармоиши онлайн ба таври фасеҳ ва самаранок ба нақша гирифта, ба мизоҷон вақти зудтар ва кафолатноки интиқолро таъмин кунем.

Таҷҳизот

Афзалиятҳои мо нархҳои пасттар, дастаи динамикии фурӯш, QC-и махсус, заводҳои қавӣ, маҳсулот ва хидматҳои босифат барои сифати аълои Фабрикаи Таъмини Силикони Карбиди (SiC) Элементи гармидиҳӣ мебошанд. муносибатхои тичоратй ва муваффакияти тарафайн!
Сифати аълоУнсури гармидиҳии Чин ва унсурҳои гармидиҳии Sic, Бешубҳа, бояд дар ҳақиқат яке аз ин объектҳо ба шумо кунҷковӣ бошад, боварӣ ҳосил кунед, ки ба мо имкон медиҳад, ки бидонед. Мо бо камоли майл ба шумо иқтибосро дар бораи гирифтани мушаххасоти ҳамаҷониба пешкаш хоҳем кард. Мо муҳандисони касбии R&D-и худро дорем, ки ба ҳама гуна талабот ҷавобгӯ бошанд, Мо бесаброна интизорем, ки дархостҳои шуморо ба зудӣ қабул кунем ва умедворем, ки имкони дар оянда бо шумо ҳамкорӣ карданро дорем. Хуш омадед ба ташкилоти мо назар кунед.