Муқаддима ба молидани карбиди кремний
Пӯшидани буғи кимиёвии мо (CVD) карбиди кремний (SiC) як қабати хеле устувор ва ба фарсуда тобовар аст, ки барои муҳитҳое, ки ба зангзании баланд ва муқовимати гармӣ ниёз доранд, беҳтарин аст.Пӯшидани карбиди кремнийдар қабатҳои тунук дар субстратҳои гуногун тавассути раванди CVD татбиқ карда мешавад, ки хусусиятҳои баландтари иҷроишро пешниҳод мекунад.
Хусусиятҳои асосӣ
● -Покагии истисноӣ: Мафҳуми таркиби ултра пок аз99.99995%, моСарпӯши SiCхатари ифлосшавиро дар амалиёти ҳассоси нимноқилҳо кам мекунад.
● -Муқовимати олӣ: Ҳам ба фарсудашавӣ ва ҳам зангзанӣ муқовимати аъло нишон медиҳад, ки онро барои душвориҳои кимиёвӣ ва плазма комил месозад.
● -Гароратгузаронии баланд: Ба туфайли хосиятҳои барҷастаи гармии худ иҷрои боэътимодро дар ҳарорати шадид таъмин мекунад.
● -Суботи андоза: Ба шарофати коэффисиенти пасти васеъшавии гармиаш якпорчагии сохторро дар доираи васеи ҳарорат нигоҳ медорад.
● -Сахтии беҳтаршуда: Бо рейтинги сахтии40 ГПа, молидани SiC мо ба таъсири назаррас ва абрешим тоб меорад.
● -Тамоми сатҳи ҳамвор: Таъмини ороиши ба оина монанд, коҳиш додани тавлиди зарраҳо ва баланд бардоштани самаранокии амалиёт.
Барномаҳо
Семиера Сарпӯши SiCдар марҳилаҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳо истифода мешаванд, аз ҷумла:
● -Истеҳсоли чипҳои LED
● -Истеҳсоли полисиликон
● -Афзоиши кристаллҳои нимноқил
● -Кремний ва эпитаксия SiC
● -Оксидшавии гармӣ ва диффузия (TO&D)
Мо ҷузъҳои бо SiC-пӯшонидашуда, ки аз графити изостатикии қавӣ, карбон бо нахи карбон ва карбиди кремнийи аз нав кристаллшуда 4N сохта шудаанд, ки барои реакторҳои моеъи моеъ пешбинӣ шудаанд, таъмин мекунем.Табдилдиҳандаҳои STC-TCS, рефлекторҳои воҳиди CZ, киштии вафли SiC, падлҳои SiCwafer, найчаи вафли SiC ва интиқолдиҳандаҳои вафли, ки дар PECVD, эпитаксияи кремний, MOCVD истифода мешаванд.
Манфиатҳо
● -Мӯҳлати умри дароз: бекористии тачхизот ва харочоти таъмирро хеле кам карда, самараи умумии истехсолотро баланд мебардорад.
● -Беҳтар кардани сифат: Сатҳи тозагии баландро барои коркарди нимноқилҳо ба даст оварда, сифати маҳсулотро баланд мебардорад.
● - Баланд бардоштани самаранокӣ: Равандҳои гармидиҳӣ ва CVD-ро оптимизатсия мекунад, ки дар натиҷа муддати кӯтоҳтар ва ҳосили баландтар мешавад.
Мушаххасоти техникӣ
● -Сохтор: FCC фазаи β поликристалл, асосан (111) нигаронида шудааст
● -Зичии: 3,21 г/см³
● -Сахтӣ: 2500 сахтии Vickes (бори 500г)
● -Мустаҳкамии шикаста: 3,0 МПа·м1/2
● -Коэффисиенти васеъшавии гармӣ (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Модули чандирӣ(1300℃):435 GPa
● - Ғафсии филми маъмулӣ:100 мкм
● -ноҳамвории сатҳи:2-10 мкм
Маълумоти тозагӣ (бо усули спектроскопияи оммавии разряд чен карда мешавад)
| Элемент | саҳм | Элемент | саҳм |
| Li | <0,001 | Cu | <0,01 |
| Be | <0,001 | Zn | <0,05 |
| Ал | <0,04 | Ga | <0,01 |
| P | <0,01 | Ge | <0,05 |
| S | <0,04 | As | <0,005 |
| K | <0,05 | In | <0,01 |
| Ca | <0,05 | Sn | <0,01 |
| Ti | <0,005 | Sb | <0,01 |
| V | <0,001 | W | <0,05 |
| Cr | <0,05 | Te | <0,01 |
| Mn | <0,005 | Pb | <0,01 |
| Fe | <0,05 | Bi | <0,05 |
| Ni | <0,01 |
|
