Вафли SOI

Тавсифи кӯтоҳ:

Вафли SOI як сохтори сандвич монанд бо се қабат аст; Аз он ҷумла қабати болоӣ (қабати дастгоҳ), мобайни қабати оксигени дафншуда (барои қабати изолятсионии SiO2) ва субстрати поёнӣ (силикони оммавӣ). Вафли SOI бо истифода аз усули SIMOX ва технологияи пайвасткунии вафли истеҳсол карда мешавад, ки имкон медиҳад қабатҳои бориктар ва дақиқтари дастгоҳ, ғафсии яксон ва зичии ками нуқсонҳо фароҳам оварда шавад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Вафли SOI(1)

Майдони ариза

1. Схемаи интегралии баландсуръат

2. Дастгоҳҳои печи печи

3. Схемаи интегралӣ ҳарорати баланд

4. Дастгоҳҳои барқ

5. Схемаи интегралии ќувваи кам

6. MEMS

7. Схемаи интегралии шиддати паст

Адад		Баҳс
Умуман	Диаметри вафли 晶圆尺寸(мм)	50/75/100/125/150/200мм ± 25ум
	Камон / Варп 翘曲度(	<10ум
	Зарраҳо 颗粒度(	0,3ум<30еа
	Квартира/Ноч 定位边/定位槽	Ҳамвор ё нохун
	Истиснои канор 边缘去除(мм)	/
Қабати дастгоҳ 器件层	Навъи қабати дастгоҳ/Допант 器件层掺杂类型	Намуди N/Type B/ P/ Sb / As
	Самти қабати дастгоҳ 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Ғафсии қабати дастгоҳ 器件层厚度(um)	0,1 ~ 300um
	Муқовимати қабати дастгоҳ 器件层电阻率(ohm•cm)	0,001~100,000 Ом-см
	Зарраҳои қабати дастгоҳ 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Қабати дастгоҳ TTV 器件层TTV(	<10ум
	Анҷоми қабати дастгоҳ 器件层表面处理	Сайёрдашуда
КУТУТИ	Ғафсии оксиди гармии дафншуда 埋氧层厚度(um)	50нм (500Å) ~ 15ум
Қабати дастӣ 衬底	Навъи вафли/Допантро идора кунед 衬底层类型	Намуди N/Type B/ P/ Sb / As
	Самти вафлиро идора кунед 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Муқовимати вафлиро идора кунед 衬底电阻率(ohm•cm)	0,001~100,000 Ом-см
	Ғафсии вафлиро идора кунед 衬底厚度(ум)	>100ум
	Вафли анҷомро идора кунед 衬底表面处理	Сайёрдашуда
Вафли SOI-и мушаххасоти мақсаднокро мувофиқи талаботи муштариён фармоиш додан мумкин аст.